半导体芯片制造技术

杜中一

评分 7.4分

《半导体芯片制造技术》全面系统地介绍了半导体芯片制造技术，内容包括半导体芯片制造概述、多晶半导体的制备、单晶半导体的制备、晶圆制备、薄膜制备、金属有机物化学气相沉积、光刻、刻蚀、掺杂及封装。书中简要介绍了半导体芯片制造的基本理论基础，系统介绍了多晶半导体、单晶半导体与晶圆的制备，详细介绍了薄膜制备、光刻与刻蚀及掺杂等工艺。由于目前光电产业的不断发展，对于化合物半导体的使用越来越多，《半导体芯片制造

半导体制造与过程控制基础

评分 0.0分

《半导体制造与过程控制基础》详细地研究并阐述了在高产量制造环境中，电子材料和供料转换为完善的集成电路和电子产品的过程和方法。《半导体制造与过程控制基础》讨论与微电子器件和电路的工业水平制造相关的问题，包括（但不限于）制造、过程控制、试验设计、过程建模、产出建模和CIM（计算机集成制造）／CAM（计算机辅助制造）系统。《半导体制造与过程控制基础》包括对基本制造概念理论和实践的描述，以及一些案例分析、

半导体物理学学习辅导与典型题解

评分 0.0分

《半导体物理学学习辅导与典型题解(第2版)》以国内高等院校广泛使用的由刘恩科、朱秉升、罗晋生编著的《半导体物理学》（第七版）为基础，根据教学与考研复习的实际要求，高度概括了各个章节的知识重点、难点及重要的物理概念，相应给出了一定数量的概念思考与练习题，在此基础上，精选了许多典型例题，并作了详细解答。

半导体制造技术

Michael Quirk, Julian Serda

评分 8.8分

《半导体制造技术》在半导体领域，技术的变化遵循着摩尔定律的快速节奏，是以月而不是以年为单位计的。《半导体制造技术》详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料，学术界和工业界都称赞这是一本目前在市场上能得到的最全面、最先进的教材。全书共分20章，章节根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排，内容包括：与半导体制作相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起

半导体产业背后的故事

张汝京 编

评分 7.1分

《半导体产业背后的故事》遴选了半导体产业发展历史中重要的27项技术发明加以介绍，并着重于技术发明过程背后的一些故事。全书分为27章，内容涉及晶体管、CMOS、集成电路技术、浸没式光刻、干法刻蚀、LED技术、量子霍尔效应、显微技术等。

图解入门 半导体制造工艺基础精讲（原书第4版）

佐藤淳一

评分 7.5分

半导体工艺和器件仿真软件Silvaco TCAD实用教程

唐龙谷

评分 0.0分

IGBT模块:技术、驱动和应用

安德列亚斯·福尔克, 麦克尔·郝康普

评分 9.0分

本书是关于IGBT应用技术的专著，由两位长期在英飞凌从事IGBT应用技术推广的工程师撰写，概念论述清楚，并以双脉冲为基础实验方法，讲述IGBT的动态特性、IGBT驱动技术和功率单元的设计和验证方法。本书应用实例丰富，是体现当今的IGBT、IGBT驱动及应用技术的参考书。

Microchip Fabrication, 5th Ed.

Peter Van Zant

评分 0.0分

New to this edition is: nanotechnology; 300-mm wafer processing; "Green" processes and devices; and new fabrication advances. This is the No.1 book in the industry - completely revised and updated. A

失去的制造业：日本制造业的败北

汤之上隆

评分 7.3分

本书揭示了日本制造业的四大教训： 面对十年一轮的新技术浪潮时，对市场机会缺乏敏感性，因循守旧，错失机会。 过于苛求对市场需求无益的性能与指标，投入不必要的成本，致使市场出现变化的时候在研发上不能及时调整产品。 过度依赖匠人精神与手工艺者的技艺，而忽视了产品的标准化与通用化，严重影响了产品量产化。 对先进技术缺乏以往专长的模仿创新精神，反应迟钝，因此落后于同行业。 本书还呼吁日本企业重新重视模仿创业

电力半导体器件原理与应用

袁立强, 赵争鸣, 宋高升

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《电力半导体器件原理与应用》力求从电力半导体器件应用的角度来诠释和分析其基本原理和应用特性。全书共分为8章，第1章主要阐述电力半导体器件的基本功能和用途；第2章介绍半导体器件物理基础，包括半导体与导体、绝缘体，原子中的电子能级，晶体中的能带等；第3章阐述双极型电力半导体器件基本原理，包括单pn结器件及多pn结特性；第4章介绍单极型及混合型器件电力半导体器件基本原理，涉及结型场效应器件、静电感应器件

电力半导体新器件及其制造技术

王彩琳

评分 0.0分

本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件（包括GTO、IGCT、ETO及MTO）、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与仿真技术。重点对功率二极管的快软恢复控制、GTO的门极硬驱动、IGCT的透明阳极和波状

半导体物理学

刘恩科, 朱秉升, 罗晋生

评分 0.0分

本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面——包括pn结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、半导体异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。 本书可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材，

半导体集成电路

余宁梅, 杨媛, 潘银松

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半导体集成电路，ISBN：9787030317926，作者：余宁梅，杨媛，潘银松 编著