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碳化硅晶体生长与缺陷
施尔畏
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《碳化硅晶体生长与缺陷》系统地介绍了物理气相输运（PVT）法碳化硅晶体生长与缺陷研究方面的工作，由碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的PVT法生长、气相组分Simcn和碳化硅晶体的生长机制、碳化硅晶体的结晶缺陷四部分组成。《碳化硅晶体生长与缺陷》从碳化硅晶体结构出发，把气相组分作为贯穿生长原料分解升华、系统中的质量∕能量输运、生长界面的结晶过程、晶体中缺陷的繁衍与发育等的一条主线，从而使读者对
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《技术预见报告2005》根据4大技术领域最新预见研究结果，展望了各领域未来20年的发展前景，并评述了基于德尔菲调查结果所确定的各项关键技术。它对于我国技术预见研究、产业政策制定、关键技术选择和重大科技决策的制定具有重要的现实意义和理论价值。《技术预见报告2005》有助于广大科学技术应用、研究工作者和社会公众了解技术发展前沿和热点；有助于有关决策部门和广大企业管理者准确判断和把握各技术领域的发展趋势
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