书籍介绍
光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律得以继续。本书覆盖现代光刻技术的重要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺。在设备部分，对业界使用的主流设备进行剖析，介绍其原理结构、使用方法、和工艺参数的设置。在材料部分，介绍了包括光刻胶、抗反射涂层、抗水涂层、和使用旋图工艺的硬掩膜等材料的分子结构、使用方法，以及必须达到的性能参数。本书按照仿真技术发展的顺序，系统介绍基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、亚曝光分辨率的辅助图形、光源-掩模版共优化技术和反演光刻技术。如何控制套刻精度是光刻中公认的技术难点，本书有一章专门讨论曝光对准系统和控制套刻精度的方法。另外，本书特别介绍新光刻工艺研究的方法论、光刻工程师的职责，以及如何协调各方资源保证研发进度。
作者简介
2013年 – 至今： 中国科学院微电子研究所研究员、博士生导师；国家科技重大专项“300mm晶圆匀胶显影设备”首席科学家（沈阳芯源微电子设备公司）。
2009年 – 2013年： 美国格罗方德纽约研发中心光刻经理。
2007年 – 2 008年： 美国安智公司新泽西研发中心，高级科学家(Senior Staff Scientist)。
2001年 – 2007年： 德国英飞凌公司美国纽约研发中心，高级工程师(Senior/Staff Engineer)。
1998年 – 2001年： 美国能源部橡树岭国家实验室，博士后
目录
用户评论
#中国芯项目资料研究# 光刻技术是一类特殊的照相制版技术，它是采用掩模（mask）将电路图形由光刻胶转写-显影，经刻蚀，形成需要的电路图形。图形曝光中使用的缩小投影曝光装置（Steper）是半导体制造装置中最为昂贵的，属于超高精密光学仪器。器件制造中要经过分步相机20～30次的反复曝光，因此光刻工程是IC芯片制程的中枢。首先，在半导体基板上形成绝缘膜。此处，在绝缘膜的下方，半导体元件的一部分已预先形成扩散层。此扩散层的作用是实现电气接触，因此需要在绝缘膜上开孔。这便是接触孔图形。为此，需要在已形成的绝缘膜上涂布称为光刻胶的感光性树脂，采用旋转涂布法涂布。膜层经100℃左右的热处理，使光刻胶中的有机溶剂挥发。此后，采用紫外线，用掩模图形对光刻胶投影，则在光刻胶中形成掩模图形的潜像。
Ch1，Ch2，Ch3，Ch6 四章，其他都翻了一下
不值这么贵
收藏