功率半导体器件

本书讲述了功率半导体器件的基本原理，涵盖Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；综合分析和呈现了不同类型器件的封装形式、工艺流程、材料参数、器件特性和技术难点等；将功率器件测试分为特性测试、极限能力测试、高温可靠性测试、电应力可靠性测试和寿命测试等，并详细介绍了测试标准、方法和原理，同步分析了测试设备和数据等；重点从测试标准、方法、理论和实际应用各方面，详细介绍了高温可靠性测试和封装可靠性测试及其难点。本书结合企业实际需求，贴近工业实践，知识内容新颖，可为工业界以及高校提供前沿数据，为高校培养专业人才奠定基础。 本书可作为功率半导体领域研究人员、企业技术人员的参考书，也可作为电力电子、微电子等相关专业高年级本科生和研究生教材。

邓二平，工学博士，合肥工业大学教授，安徽省海外高层次人才，中国能源学会专家委员。主要研究方向为功率器件的封装、热设计管理、可靠性评估技术、失效机理、在线状态监测和寿命评估等。 长期从事功率半导体器件的封装及可靠性研究，包括压接型IGBT器件的封装设计、可靠性测试方法、测试技术和测试设备的开发等。近5年以第一或通讯作者累计发表高水平论文100余篇，其中SCI/EI检索论文70余篇；承担各类企业合作项目20余项，国家级项目3项，等等。