第1篇 综述与题材第1章 微电子制造引论 1.1 微电子工艺:一个简单的实例 1.2 单项工艺与工艺技术 1.3 本课程教程 1.4 小结第2章 半导体衬底 2.1 相图与固溶度° 2.2 结晶学与晶体结构° 2.3 晶体缺陷 2.4 直拉法(Czochralski法)单晶生长 2.5 Bridgman法生长GaAs 2.6 区熔法单晶生长 2.7 晶圆片制备和规格 2.8 小结与未来发展趋势 习题 参考文献 第2篇 单项工艺1:热处理与离子注入第3章 扩散第4章 热氧化第5章 离子注入第6章 快速热处理 第3篇 单项工艺2:图形转移第7章 光学光刻第8章 光刻胶第9章 非光学光刻技术+第10章 真空科学与等离子体第11章 刻蚀 第4篇 单项工艺3:薄膜及概述第12章 物理淀积:蒸发和溅射第13章 化学气相淀积第14章 外延生长 第5篇 工艺集成概述第15章 器件隔离、接触和金属化第16章 CMOS技术第17章 其他类型晶体管的工艺技术第18章 光电子器件工艺技术第19章 微机电系统第20章 集成电路制造附录A 缩写与通用符号附录B 部分半导体材料的性质附录C 物理常数附录D 单位转换因子附录E 误差函数的一些性质附录F F数