半导体器件基础

第一部分　半导体基础　第1章　半导体概要　　1.1　半导体材料的特性　　　1.1.1　材料的原子构成　　　1.1.2　纯度　　　1.1.3　结构　　1.2　晶体结构　　　1.2.1　单胞的概念　　　1.2.2　三维立方单胞　　　1.2.3　半导体晶格　　　1.2.4　密勒指数1.3　晶体的生长　　　1.3.1　超纯硅的获取　　　1.3.2　单晶硅的形成　　1.4　小结　　习题　第2章　载流子模型　　2.1　量子化概念　　2.2　半导体模型　　　2.2.1　价键模型　　　2.2.2　能带模型　　　2.2.3　载流子　　　2.2.4　带隙和材料分类　　2.3　载流子的特性　　　2.3.1　电荷　　　2.3.2　有效质量　　　2.3.3　本征材料内的载流子数　　　2.3.4　载流子数的控制—掺杂　　　2.3.5　与载流子有关的术语　　2.4　状态和载流子分布　　　2.4.1　态密度　　　2.4.2　费米分布函数　　　2.4.3　平衡载流子分布　　2.5　平衡载流子浓度　　　2.5.1　n型和p型的公式　　　2.5.2　n型和p型表达式的变换　　　2.5.3　ni和载流子浓度乘积np　　　2.5.4　电中性关系　　　2.5.5　载流子浓度的计算　　　2.5.6　费米能级EF的确定　　　2.5.7　载流子浓度与温度的关系　　2.6　小结　　习题　第3章　载流子输运　　3.1　漂移　　　3.1.1　漂移的定义与图像　　　3.1.2　漂移电流　　　3.1.3　迁移率　　　3.1.4　电阻率　　　3.1.5　能带弯曲　　3.2　扩散　　　3.2.1　扩散的定义与图像　　　3.2.2　热探针测量法　　　3.2.3　扩散和总电流　　　3.2.4　扩散系数与迁移率的关系　　3.3　复合-产生　　　3.3.1　复合-产生的定义与图像　　　3.3.2　动量分析　　　3.3.3　R-G统计　　　3.3.4　少子寿命　　3.4　状态方程　　　3.4.1　连续性方程　　　3.4.2　少子的扩散方程　　　3.4.3　问题的简化和解答　　　3.4.4　解答问题　　3.5　补充的概念　　　3.5.1　扩散长度　　　3.5.2　准费米能级　　3.6　小结　　习题　第4章　器件制备基础　　4.1　制备过程　　　4.1.1　氧化　　　4.1.2　扩散　　　4.1.3　离子注入　　　4.1.4　光刻　　　4.1.5　薄膜淀积　　　4.1.6　外延　　4.2　器件制备实例　　　4.2.1　pn结二极管的制备　　　4.2.2　计算机CPU的工艺流程　　4.3　小结　　第一部分补充读物和复习　　可选择的/补充的阅读资料列表　　图的出处/引用的参考文献　　术语复习一览表　第一部分—复习题和答案第二部分A　pn结二极管　第5章　pn结的静电特性　第7章　pn结二极管：小信号导纳　第8章　pn结二极管：瞬态响应　第9章　光电二极管第二部分B　BJT和其他结型器件　第10章　BJT 基础知识　第11章　BJT静态特性　第12章　BJT动态响应模型　第13章　PNPN器件　第14章　MS接触和肖特基二极管第三部分　场效应器件　第15章　场效应导言—J-FET和MESFET　第16章　MOS结构基础　第17章　MOSFET器件基础　第18章　非理想MOS　第19章　现代场效应管结构附录A　量子力学基础附录B　MOS半导体静电特性—精确解附录C　MOS C -V补充附录D　MOS I -V补充2附录E　符号表4附录F　MATLAB程序源代码