半导体材料与器件表征

[美]迪特尔•K•施罗德

出版时间

2017-12-30

ISBN

9787569302189

评分

★★★★★
书籍介绍

享誉国际的教科书《半导体材料与器件表征》第3版完全囊括了该领域的最新发展现状,并包括了新的教学手段,以帮助读者能更好地理解。第3版不仅阐述了所有最新的测量技术,而且检验了现有技术的新解释和新应用。

《半导体材料与器件表征》仍然是专门用于半导体材料与器件测量表征技术的唯一教科书。覆盖范围包括全方位的电气和光学表征方法,包括更专业化的化学和物理技术。熟悉前两个版本的读者会发现一个彻底修订和更新的第3版,包括:

•反映最新数据和信息的更新及订正图表和实例;

•260个新的参考文献有关最新的研究和讨论的专题;

•每章结尾增加用来测试读者对内容理解的新习题和复习题。

读者将在每章中找到完全更新和修订的节。

另外还增加了两个新章节:

•基于电荷和探针的表征方法 引入电荷测量和开尔文探针。本章还研究了基于探针的测量,包括扫描电容、扫描开尔文探针、扫描扩散电阻和弹道电子发射显微镜。

•可靠性和实效分析 研究了失效时间和分布函数,讨论了电迁移、热载流子、栅氧化层完整性、负偏压温度不稳定性、应力诱导漏电流和静电放电。

该教科书由本领域国际公认的权威撰写。《半导体材料与器件表征》对研究生以及半导体器件和材料领域的专业人员来说仍然是必不可少的阅读材料。

迪特尔•K•施罗德(DIETER K. SCHRODER)博士,美国亚利桑那州立大学电气工程系教授,他是亚利桑那州立大学工学院教学优秀奖和几个其它教学奖获得者。除了《半导体材料与器件表征》这本书外,施罗德博士也是《先进MOS器件》的作者。

目录
1. 电阻率
2. 载流子与掺杂浓度
3. 接触电阻与肖特基势垒
4. 串联电阻,沟道长度与宽度,阈值电压
5. 缺陷

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